STMicroelectronics - STW43NM60N

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STW43NM60N Preise (USD) [12369Stück Lager]

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Artikelnummer:
STW43NM60N
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW43NM60N Produkteigenschaften

Artikelnummer : STW43NM60N
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
Serie : MDmesh™ II
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 255W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3

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