Artikelnummer :
FQPF8N80CYDTU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.55 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
59W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads