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Microsemi Corporation - APTC80H15T1G

KEY Part #: K6522653

APTC80H15T1G Preise (USD) [2130Stück Lager]

  • 1 pcs$20.33688
  • 100 pcs$19.84068
Artikelnummer:
APTC80H15T1G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
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Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC80H15T1G elektronische Komponenten. APTC80H15T1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC80H15T1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC80H15T1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTC80H15T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4507pF @ 25V
Leistung max : 277W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1

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