IPP65R095C7XKSA1 Preise (USD) [14062Stück Lager]
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- 500 pcs$1.70705
- Artikelnummer:
- IPP65R095C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPP65R095C7XKSA1 elektronische Komponenten. IPP65R095C7XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPP65R095C7XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPP65R095C7XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPP65R095C7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Serie :
CoolMOS™ C7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 590µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2140pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
128W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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