TPH3206LSB Preise (USD) [8659Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPH3206LSB
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 16A PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Transphorm TPH3206LSB elektronische Komponenten. TPH3206LSB kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPH3206LSB haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPH3206LSB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPH3206LSB
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 480V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
81W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (8x8)
Paket / fall :
3-PowerDFN
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