IPAN65R650CEXKSA1 Preise (USD) [71938Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPAN65R650CEXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IPAN65R650CEXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPAN65R650CEXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 210µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
28W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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