ON Semiconductor - FCPF11N60_G

KEY Part #: K6412227

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    Artikelnummer:
    FCPF11N60_G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    INTEGRATED CIRCUIT.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCPF11N60_G elektronische Komponenten. FCPF11N60_G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCPF11N60_G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FCPF11N60_G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FCPF11N60_G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT
    Serie : SuperFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220F
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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