Infineon Technologies - IRFR3505PBF

KEY Part #: K6412159

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    Artikelnummer:
    IRFR3505PBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFR3505PBF elektronische Komponenten. IRFR3505PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFR3505PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR3505PBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRFR3505PBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2030pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 140W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : D-Pak
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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