EPC2100 Preise (USD) [19847Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- EPC2100
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2100 elektronische Komponenten. EPC2100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EPC2100 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2100
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
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