RQ3E075ATTB Preise (USD) [216885Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RQ3E075ATTB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - spezieller Zweck ...
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RQ3E075ATTB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RQ3E075ATTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
930pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
15W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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