Renesas Electronics America - 2SK1859-E

KEY Part #: K6412598

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    Artikelnummer:
    2SK1859-E
    Hersteller:
    Renesas Electronics America
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America 2SK1859-E elektronische Komponenten. 2SK1859-E kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 2SK1859-E haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK1859-E Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 2SK1859-E
    Hersteller : Renesas Electronics America
    Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 980pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-3P
    Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

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