IAUC120N04S6L008ATMA1 Preise (USD) [72424Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IAUC120N04S6L008ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IAUC120N04S6L008ATMA1 elektronische Komponenten. IAUC120N04S6L008ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IAUC120N04S6L008ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IAUC120N04S6L008ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IAUC120N04S6L008ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7910pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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