Artikelnummer :
BUK9E4R4-80E,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
123nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
17130pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
349W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA