Infineon Technologies - IPB530N15N3GATMA1

KEY Part #: K6419540

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Artikelnummer:
IPB530N15N3GATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB530N15N3GATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPB530N15N3GATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 887pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 68W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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