Artikelnummer :
NVMD4N03R2G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 20V
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC