ON Semiconductor - NVMFS6B75NLT1G

KEY Part #: K6401357

NVMFS6B75NLT1G Preise (USD) [3078Stück Lager]

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Artikelnummer:
NVMFS6B75NLT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - spezieller Zweck ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6B75NLT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVMFS6B75NLT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.5W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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