TSM60NB190CZ C0G Preise (USD) [33639Stück Lager]
- 1 pcs$1.22515
- Artikelnummer:
- TSM60NB190CZ C0G
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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TSM60NB190CZ C0G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TSM60NB190CZ C0G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1273pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
33.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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