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Microsemi Corporation - APT30F50B

KEY Part #: K6394388

APT30F50B Preise (USD) [14431Stück Lager]

  • 1 pcs$3.13778
  • 10 pcs$2.82577
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  • 500 pcs$1.94671
  • 1,000 pcs$1.69552
Artikelnummer:
APT30F50B
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT30F50B elektronische Komponenten. APT30F50B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT30F50B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30F50B Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT30F50B
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4525pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 415W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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