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Microsemi Corporation - APT56F50B2

KEY Part #: K6397385

APT56F50B2 Preise (USD) [6612Stück Lager]

  • 1 pcs$6.85289
  • 10 pcs$6.23018
  • 100 pcs$5.29572
Artikelnummer:
APT56F50B2
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 56A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT56F50B2 elektronische Komponenten. APT56F50B2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT56F50B2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT56F50B2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT56F50B2
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 780W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]
Paket / fall : TO-247-3 Variant

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