Microsemi Corporation - APT11N80KC3G

KEY Part #: K6409003

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    Artikelnummer:
    APT11N80KC3G
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter and Dioden - Zener - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT11N80KC3G elektronische Komponenten. APT11N80KC3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT11N80KC3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT11N80KC3G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APT11N80KC3G
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
    Serie : CoolMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 7.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 680µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1585pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220 [K]
    Paket / fall : TO-220-3