Artikelnummer :
APT11N80KC3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 680µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1585pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220 [K]