DMHC6070LSD-13 Preise (USD) [179158Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMHC6070LSD-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 elektronische Komponenten. DMHC6070LSD-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMHC6070LSD-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMHC6070LSD-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMHC6070LSD-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
731pF @ 20V
Leistung max :
1.6W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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