Toshiba Semiconductor and Storage - TK20J60U(F)

KEY Part #: K6407780

TK20J60U(F) Preise (USD) [854Stück Lager]

  • 1 pcs$2.65301
  • 50 pcs$2.13017
  • 100 pcs$1.94084

Artikelnummer:
TK20J60U(F)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(F) elektronische Komponenten. TK20J60U(F) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK20J60U(F) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK20J60U(F) Produkteigenschaften

Artikelnummer : TK20J60U(F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Serie : DTMOSII
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 190W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P(N)
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

Sie könnten auch interessiert sein an