Vishay Siliconix - SI4864DY-T1-GE3

KEY Part #: K6396484

SI4864DY-T1-GE3 Preise (USD) [39363Stück Lager]

  • 1 pcs$0.99331
  • 2,500 pcs$0.92975

Artikelnummer:
SI4864DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4864DY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4864DY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4864DY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4864DY-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI4864DY-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • DMN2028UVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26.

  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.