BSC084P03NS3GATMA1 Preise (USD) [198213Stück Lager]
- 1 pcs$0.18660
- Artikelnummer:
- BSC084P03NS3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSC084P03NS3GATMA1 elektronische Komponenten. BSC084P03NS3GATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSC084P03NS3GATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSC084P03NS3GATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC084P03NS3GATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 105µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4785pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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