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- Artikelnummer:
- PHN210,118
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
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PHN210,118 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHN210,118
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 20V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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