SIHH21N65E-T1-GE3 Preise (USD) [26914Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIHH21N65E-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIHH21N65E-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIHH21N65E-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIHH21N65E-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIHH21N65E-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIHH21N65E-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
99nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2404pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 8 x 8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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