Diodes Incorporated - 2N7002K-7

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Artikelnummer:
2N7002K-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
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ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002K-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : 2N7002K-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 380mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 370mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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