APT29F100B2 Preise (USD) [4640Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT29F100B2
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APT29F100B2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT29F100B2
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1040W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
T-MAX™ [B2]
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
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