IPB180P04P4L02ATMA1 Preise (USD) [55372Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB180P04P4L02ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB180P04P4L02ATMA1 elektronische Komponenten. IPB180P04P4L02ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB180P04P4L02ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB180P04P4L02ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB180P04P4L02ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 410µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
286nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
18700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7-3
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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