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- Artikelnummer:
- NP80N055NDG-S18-AY
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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NP80N055NDG-S18-AY Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NP80N055NDG-S18-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
135nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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