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- Artikelnummer:
- ZXMN3B04N8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN3B04N8TC elektronische Komponenten. ZXMN3B04N8TC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN3B04N8TC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN3B04N8TC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN3B04N8TC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2480pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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