IXFT36N60P Preise (USD) [12035Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT36N60P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT36N60P elektronische Komponenten. IXFT36N60P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT36N60P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT36N60P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT36N60P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
Serie :
HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
102nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
650W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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