PMZB600UNELYL Preise (USD) [1163201Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PMZB600UNELYL
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PMZB600UNELYL elektronische Komponenten. PMZB600UNELYL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PMZB600UNELYL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PMZB600UNELYL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMZB600UNELYL
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
600mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
21.3pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN1006B-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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