IXTT30N60P Preise (USD) [12532Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTT30N60P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTT30N60P elektronische Komponenten. IXTT30N60P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTT30N60P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTT30N60P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTT30N60P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
Serie :
PolarHV™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5050pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
540W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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