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- Artikelnummer:
- SI2333DS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI2333DS-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI2333DS-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI2333DS-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI2333DS-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI2333DS-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
750mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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