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- Artikelnummer:
- NTH027N65S3F_F155
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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NTH027N65S3F_F155 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTH027N65S3F_F155
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
Serie :
FRFET®, SuperFET® II
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 7.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
259nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7690pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
595W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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