RQ3E180AJTB Preise (USD) [230745Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RQ3E180AJTB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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RQ3E180AJTB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RQ3E180AJTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 11mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4290pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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