DMG4N60SJ3 Preise (USD) [141355Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMG4N60SJ3
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 600V 3A TO251.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMG4N60SJ3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMG4N60SJ3
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET NCH 600V 3A TO251
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
532pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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