NXP USA Inc. - PMR780SN,115

KEY Part #: K6400195

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    Artikelnummer:
    PMR780SN,115
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren and Thyristoren - TRIACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. PMR780SN,115 elektronische Komponenten. PMR780SN,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PMR780SN,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMR780SN,115 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : PMR780SN,115
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
    Serie : TrenchMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 550mA (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 920 mOhm @ 300mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.05nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23pF @ 30V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 530mW (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SC-75
    Paket / fall : SC-75, SOT-416