TP0610K-T1-GE3 Preise (USD) [732180Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TP0610K-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TP0610K-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TP0610K-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
185mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.7nC @ 15V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
23pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
350mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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