SI5517DU-T1-GE3 Preise (USD) [178611Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI5517DU-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SI5517DU-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI5517DU-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 10V
Leistung max :
8.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® ChipFet Dual
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