Artikelnummer :
BSC009NE2LSATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
41A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
126nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5800pF @ 12V
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN