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Microsemi Corporation - APTM50DDA10T3G

KEY Part #: K6522635

APTM50DDA10T3G Preise (USD) [2118Stück Lager]

  • 1 pcs$20.55101
  • 100 pcs$20.44876
Artikelnummer:
APTM50DDA10T3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM50DDA10T3G elektronische Komponenten. APTM50DDA10T3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM50DDA10T3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM50DDA10T3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM50DDA10T3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4367pF @ 25V
Leistung max : 312W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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