FQI50N06TU Preise (USD) [176405Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQI50N06TU
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQI50N06TU elektronische Komponenten. FQI50N06TU kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQI50N06TU haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQI50N06TU Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQI50N06TU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1540pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK (TO-262)
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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