IPB60R160P6ATMA1 Preise (USD) [52819Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB60R160P6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB60R160P6ATMA1 elektronische Komponenten. IPB60R160P6ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB60R160P6ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB60R160P6ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB60R160P6ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO263-3
Serie :
CoolMOS™ P6
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 750µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2080pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
176W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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