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- Artikelnummer:
- MVB50P03HDLT4G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- INTEGRATED CIRCUIT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Leistungstreibermodule and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G elektronische Komponenten. MVB50P03HDLT4G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MVB50P03HDLT4G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
MVB50P03HDLT4G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
MVB50P03HDLT4G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
INTEGRATED CIRCUIT
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 5V
Vgs (Max) :
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4.9nF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK-3
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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