DMPH6250SQ-7 Preise (USD) [539463Stück Lager]
- 1 pcs$0.06856
- Artikelnummer:
- DMPH6250SQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 61V-100V SOT23 TR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMPH6250SQ-7 elektronische Komponenten. DMPH6250SQ-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMPH6250SQ-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMPH6250SQ-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMPH6250SQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 61V-100V SOT23 TR
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
512pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
920mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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