TK8R2A06PL,S4X Preise (USD) [58817Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK8R2A06PL,S4X
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TK8R2A06PL,S4X Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK8R2A06PL,S4X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSIX-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
28.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1990pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
36W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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