IRFD214 Preise (USD) [66291Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFD214
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFD214 elektronische Komponenten. IRFD214 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFD214 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFD214 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFD214
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
450mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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