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- Artikelnummer:
- CPMF-1200-S080B
- Hersteller:
- Cree/Wolfspeed
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Cree/Wolfspeed CPMF-1200-S080B elektronische Komponenten. CPMF-1200-S080B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CPMF-1200-S080B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
CPMF-1200-S080B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CPMF-1200-S080B
Hersteller :
Cree/Wolfspeed
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Serie :
Z-FET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
90.8nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1915pF @ 800V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
313mW (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die
Paket / fall :
Die
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